由于半導(dǎo)體工藝對(duì)操作室清潔度要求極高，通常使用風(fēng)機(jī)抽取工藝過(guò)程中揮發(fā)的各類(lèi)廢氣，因此半導(dǎo)體行業(yè)廢氣排放具有排氣量大、排放濃度小的特點(diǎn)。廢氣排放也以揮發(fā)為主。來(lái)源及成分如下表：
同時(shí)，芯片制程先進(jìn)度提升，對(duì)產(chǎn)品精度的要求更高，負(fù)壓要求更大。為滿足高端制程芯片的產(chǎn)品精度要求，確保芯片表面潔凈度，增加部分集氣量及對(duì)應(yīng)的廢氣處理設(shè)施。下面我們來(lái)看看此行業(yè)有機(jī)廢氣/VOCs方面的治理概述，如下：

半導(dǎo)體行業(yè)VOCs廢氣主要來(lái)源于光刻、顯影、刻蝕及擴(kuò)散等工序，在這些工序中要用有機(jī)溶液（如異丙醇）對(duì)晶片表面進(jìn)行清洗，其揮發(fā)產(chǎn)生的廢氣是有機(jī)廢氣的來(lái)源之一；同時(shí)，在光刻、刻蝕等過(guò)程中使用的光阻劑（光刻膠）中含有易揮發(fā)的有機(jī)溶劑，如醋酸丁酯等，在晶片處理過(guò)程中也要揮發(fā)到大氣中，是有機(jī)廢氣產(chǎn)生的又一來(lái)源。
半導(dǎo)體行業(yè)中使用的清洗劑、顯影劑、光刻膠、蝕刻液等溶劑中含有大量有機(jī)物成分。在工藝過(guò)程中，這些有機(jī)溶劑大部分通過(guò)揮發(fā)成為廢氣排放。目前，針對(duì)這種氣體排放，一般采用吸附、焚燒或兩者相結(jié)合的處理方法。
吸附是利用多孔性固體吸附劑處理混合氣體，使其中所含的一種或多種組分吸附于固體表面上，達(dá)到分離的目的。吸附劑選擇性高，能分開(kāi)其他過(guò)程難以分開(kāi)的混合物，有效地清除（或回收）濃度很低的有害物質(zhì)，凈化效率高，設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，且能實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制。但固體吸附劑的吸附容量小，需要大量的吸附劑，設(shè)備龐大，且吸附后吸附劑需要再生處理，是吸附處理的主要缺點(diǎn)。半導(dǎo)體生產(chǎn)場(chǎng)所揮發(fā)出來(lái)的有機(jī)廢氣通過(guò)局部排風(fēng)罩收集，經(jīng)管道送至吸附凈化系統(tǒng)。一般采用活性炭作為吸附劑。因?yàn)榛钚蕴渴欠菢O性吸附劑，對(duì)廢氣中水蒸氣的靈敏度不高，且價(jià)格便宜。
焚燒的方法也廣泛用于半導(dǎo)體行業(yè)，處理各種有機(jī)廢氣，通過(guò)熱氧化將有機(jī)物轉(zhuǎn)化為CO2和水。同時(shí)，焚燒對(duì)處理穩(wěn)定流量和濃度的廢氣也是一種很好的方法。在熱氧化中，有機(jī)廢氣流經(jīng)過(guò)加熱，氣相中的有機(jī)物被氧化。為節(jié)省燃料使用，通常還使用熱交換器，回收焚燒產(chǎn)生的熱量對(duì)進(jìn)口氣體進(jìn)行預(yù)熱。對(duì)于處理大流量、低濃度的氣體，通常都要采用這種方法。由于半導(dǎo)體行業(yè)廢氣焚燒會(huì)產(chǎn)生SiO2，且SiO2會(huì)使催化劑鈍化，因此半導(dǎo)體行業(yè)中很少采用接觸氧化的方法。

一些半導(dǎo)體生產(chǎn)廠也使用旋轉(zhuǎn)濃縮系統(tǒng)富集有機(jī)廢氣，如沸石濃縮轉(zhuǎn)輪。因?yàn)榘雽?dǎo)體工藝過(guò)程中有機(jī)廢氣具有排放流量大（通常大于11000m3/h）和濃度低（通常小于25ppmv）的特點(diǎn)，使用其它的處理技術(shù)難以達(dá)到令人滿意的處理效率。沸石濃縮轉(zhuǎn)輪使用內(nèi)帶吸收物質(zhì)的旋轉(zhuǎn)輪，其中的吸收物質(zhì)部分曝露于廢氣流中。轉(zhuǎn)輪吸收廢氣中的揮發(fā)性污染物，并使用蒸汽或熱將其脫吸。脫吸的氣流中富集了較高濃度的揮發(fā)物，這種低流量、高濃度的氣流就能很好地被氧化。旋轉(zhuǎn)濃縮系統(tǒng)用于半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)缺點(diǎn)是它對(duì)甲醇親和力較差，去除率僅為40-60％。
來(lái)源： VOCs減排工作站